ある物性値として,以 下の式で誘電率(permittivity) εを定義する C=ε(S/L)(3) εを真空の誘電率eo(=54×1012Fm1)で 割ったも のを比誘電率(relative permittivity)ε'と よぶ℃ に おける比誘電率の値の例 としては,乾 燥空気が ,エ タノールが2509,水 が8010で ある比誘電率 ε r ⇔ 分極 p 電場 e を誘電率と分極で考える q –q 表面積 s e (ガウスの法則) 電荷 q からでる電気力線の本数は常に (電界の定義) 電場の強さ e n/c の電気力線は,単位面積あたり e 本 電荷密度(σ) = q / s 真空 誘電体 q –q 真空中: 誘電体がある場合真空の誘電率とは上述の式でみるように、電荷間に働く力の比例定数である。ε 0 は10年の科学技術データ委員会(CODATA:Committee on Data for Science and Technology)勧告によると ε 0 =×10 -12 Fm -1 である。真空の誘電率は物理的普遍定数の一つと考えられ、時間的空間的に(宇宙の開闢(かいびゃく)以来、宇宙のどこでも)一定の値をもつものと考えられている。
高次非線形誘電率顕微法 誘電ナノデバイス研究分野
誘電率 ε
誘電率 ε-真空の誘電率は ε 0 と表し、その値は ε 0 ≒ 5×1012 F/m です。空気の誘電率もほぼ同じです。 ε = \(\large{\frac{1}{4\pi k}}\) ですので、真空の誘電率の値を代入すれば分母の k の値も定まります。複素電気感受率と屈折率 媒質中の誘電率(複素数):ε • 真空中(実数)でも媒質中(複素数)でも形式上同じ • 誘電率の形式的な置換で何が見えてくるか? • 形式的な置換:ε0→ε 光速:誘電率を含む(誘電率置換) • 真空中:実数 • 媒質中(非磁性体):とりあえず複素数扱い 複素



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真空中や空気中における波長は上記のように単純に計算できるが、電磁波が誘電体中を伝搬する時には、その伝搬速度は誘電体の比誘電率 εrに応じて、c / √εrに低下する (ここでは、比透磁率は 1 と仮定する)。 従って、誘電体中を伝搬する電磁波の波長は真空中の波長の 1 / √εr倍になる。 例えば、ポリエチレンの比誘電率は 23 程度であり、その中での 1GHz の電磁比誘電率表 Dielectric Constant Table あ行 | か行 | さ行 | た行 | な行 | は行 | ま行 | や・ら・わ行 物質名 ε s 物質名 ε s あ行 アクリル樹脂 27~45図7 蒸留水の誘電率 1 1 2 02 05 0 02 05 1 2 5 02 05 100 MHz Re Im 6 GHz ii1 1 図8 水エタノールの反射係数(極座標表示) ε r ', ε r '' f GHz 012 345 6 0 40 60 80 100 f 図9 水エタノールの誘電率 全ての誘電率推定結果においてゆらぎが観測され た.これは実験反射
Minoru TANAKA (Osaka Univ) 25 誘電体の境界条件 • 2種類の誘電体,誘電体1と誘電体2,の境界面を考える.それ ぞれの誘電率をε1,ε2 とし,境界面に電荷はないものとする. 境界面を囲む微小なうすい円筒(底面積 ΔS) を考えて,ガウスの法則を適用すると, (1) D(r)dS =0真空の誘電率 ε 0 / F/m = E12 真空の誘電率の大綱となる 物理量は、誘電率です。 真空 の 誘電率 です 。 物理定数 です 。 比誘電率 ε 〔・〕は 真空 の 誘電率 に対する比です 。実効誘電率εrel 比誘電率εr = 48 比誘電率と実効誘電率の変換グラフ 10 マイクロストリップラインに相性のよい パッチアンテナ 薄くて小形で高利得な平面アンテナ λg/2 εrel:実効誘電率 グラウンド板 パッチアンテナの設計事例
誘電率とは 面積 の2つの電極板を距離 離して平行においたコンデンサの静電容量 は 面積に比例し、距離に反比例します 。 ここで比例定数を とすると、コンデンサの静電容量 は次式で表されます。 この比例定数を誘電率といいます。 はギリシャ文字であり「 イプシロン 」と読みます。 (1)式より、 誘電率が大きいほど、静電容量が大きくなることがおける複素誘電率を求める方法である図1( )。 図1 摂動法 複素比誘電率ε r *の実部を比誘電率ε r '、虚部を比誘電 損率ε r " とする。水道水のε r * を測定すると、25℃から 100℃までの範囲では温度上昇と共に r ε '、ε r " が減少する (表1)。これはで定義される誘電率は、z方向に電場が印加された場合の誘電率 (0) ε 2 ε z =nz が、x方向に 電場が印加された場合の誘電率 εx よりも大きくなり、結果として誘電率あるいは屈折率に 異方性が生じるのです。 次に単斜晶系や三斜晶系の結晶に見られるような、原子がz軸からγだけずれている場 合



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1 3 誘電率と界面準位発生の相関
6 ♢ 比誘電率εr の半無限大誘電体平面が空気と接している。境界面に 入射角θ で空気中から一様な電界E0 V/m が入射したとき,誘電体 中の電界を求めよ。*6 7 ♡ 真空中におかれた誘電率ε F/m の誘電体板に外部から一様な電 界E0 V/m が印加されている。0、誘電体の誘電率をε、比誘電率をε r とするとき、中が真空状態のコンデ ンサーの電気容量C と誘電体を挿入した後の電気容量C'をそれぞれS、d、ε 0、ε、ε rの中か ら必要なものを用いて求めよ。ただし、C'は2通りの表し方をすること。 d (補足)比誘電率 電荷を置いた空間の物質(媒質)によって異なる値をもつ 真空・空気中では、ε 0 で表される。 比誘電率 真空の誘電率ε 0 を1とした時にある誘電体εの誘電率を示したものでε r で表される。 一般の媒質の誘電率は真空の誘電率より大きくなる。



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誘電率ε 1とε 2の誘電体が接している領域を考える。図72のように、誘電体界面に沿って底 ε=εʹ−iεʹʹ εʹʹ εʹ tanδ ∂2 ∂z2 Eµω2(εʹ−iεʹʹ)E=0 E=E 0expiωt−i 2π λ z−πtanδ⋅ z λ ⎧ ⎨ ⎩ ⎫ ⎭ 電磁気学III 第7講 4 面積ΔS、高さΔhの円柱Vおよびその表面Sを考える。この円柱内 で、ガウスの法則誘電率 ε 〔F/m〕 = セル定数 a 〔1/m〕 × キャパシタンス C 〔F〕 誘電率 ε 〔F/m〕 = 表面電荷密度 σ 〔C/m²〕 ÷ 電場 E 〔V/m〕 比誘電率 ε 〔・〕 = 誘電率 ε 〔F/m〕 ÷ 真空の誘電率 ε 0 〔F/m〕 電束密度 D 〔C/m²〕 = 誘電率 ε 〔F/m〕 × 電場 E 〔V/m〕31誘電体と誘電分極32誘電体を含む系の電界 33誘電体に蓄えられるエネルギー34誘電体の境 界にはたらく力35真空中および誘電体中の基本式 のまとめ 前回は、真空中 (空気中) の静電容量の基礎 を学んだ。今回は誘電体の誘電率を学ぶ。 1/28



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真空の誘電率 検索 編集 物理量真空の誘電率⇒#116@物理量;何もない真空にも誘電率があって、これをε 0 と表します。ε 0 =5×1012 F/mです。空気などの非電離気体は、通常は誘電率がほとんどε 0 とみなして構いません。比誘電率とは、ある物質の誘電率εと真空の誘電率ε 0 の比をいいます。真空中の光の位相速度 c は,真空中の誘電率 ε 0 と透磁率µ 0 を使って, と表すことができます. 誘電体などの非磁性体では, µ = µ 0 としてよいので,屈折率 n ≡ c / v は,物質の誘電率 ε p を真空中の誘電率 ε 0 で割って無次元化した比誘電率 ε だけを含む簡単な式で表されます.



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23 誘電率テンソルと対称性 物質の電場に対する応答は,誘電率ε で表されます。光学的に等方な物質であっても外部磁場を かけたときは,その方向が異方軸となり,誘電率はテンソルとして扱う必要が出てきます。 それを見るために次のような例を考え真空中の誘電率を ε 0 ,物質固有の誘電率を ε p とすると,光学分野では,一般的に, ε p を ε 0 で割って無次元化した比誘電率 (relative dielectric constant) ε が使われます. 通常,比誘電率は単に誘電率と呼ばれます. ε は (71) 式のように表されます. (71) 式の通り,物質の誘電率は,真空中の誘電率 ε = 1 に物質固有の分極の寄与である電気感受率 χ が足され基礎物理学演習 (分極・境界条件) 担当:岡林潤 1 一様な外部電場Eの中に半径 、誘電率a εの誘電体の球がある。 この場合の 電場は、球内では一様な電場E′、球外では外部電場と原点にある仮想双極子 pの作る電場を重ね合わせたものになる。E′とpを求めよ。



5 どうして分光なのか 1 分極と誘電関数 テクノシナジー



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なる.このとき誘電異常分散という現象が起こり,誘電 率は複素量として扱われる.複素誘電率ヂは ε*一ε一ズε" , (3) で与えられ,実数部のε〆を誘電率,虚数部のε"を誘 電損率とよぶ.誘電異常分散の実測例をFig.1に示す.誘電率は試料の両面に電極を設け、振幅 1 v 程度の交流電圧を印加して測定され、貯蔵誘電率(実部) ε 'と損失誘電率(虚部) ε "から成る複素数 (ε * = ε '-i ε ") で表せられる。pvdf などの多くの圧電高分子では、誘電率を周波数掃引しながら測定すると、図1に示すように3つの共鳴じめ、誘電率大きくなってくる。 領域c:電場変化の時間内に充分に双極子が配向できるよ うになる。そうなると、誘電率は一定(ε∞=5)になる。 このように、「ある高分子がどのような誘電率を持つか?」 は測定周波数や緩和時間で決まる。その一例と



マクスウェルによるアンペールの法則の拡張



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比誘電率ε r1 の媒質1と比誘電率ε r2 の媒質2が、右の図のように分布する場合の媒質1での電束密度と電界 と媒質2での電束密度と電界の関係を考える。 注目したい境界において、媒質1と媒質2の境界が平面とみなせるほど (面上で、電界と電束密度が一定とみなせるほど)の小さな平面Sを境界ンサーは、この比誘電率εr を単に誘電率εと呼ぶことも多い。本論文でも、以下でそ のような表現をすることがある。 23 電気分極 231 分極率 物質に外部から電場E をかけたとき、誘電体を構成する原子または分子の中の正電 荷は電界の方向に、負電荷は電界と反対の方向に変位して、双極子真空中の場合、e = d / ε 0 となり、 この ε 0 を真空の誘電率と呼ぶ。 MKSA単位系では、 ε 0 = × 10 -12 (F/m) となるが、この ε 0 は、 μ 0 = 4π×10 7 、 ε 0 = 1 / μ 0 c 0 2 から求められる定義値である。



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得られた誘電率εとせん断粘度ηの計算値と実測値の相関図を示しました。 誘電率の相関係数(R 2)はと算出されました。誘電率は様々な種類の有機電解質においても実測値と非常に良い相関があると言えます。粘度の相関係数(R 2)はであり、こちらも実測値と良い一致が見られました。一般には,誘電率は真空中との誘電率の比(比誘電率) ε r を用いて表され, ε=ε 0 ε r 特に,空気の誘電率は真空と同じで ε r =10 となる.これは誘電率に対応 するものであり、これを複素誘電率ε*として定義する。 ε ∗= ε 1 – i ε 2 (9) (8)式と(9)式との対応よりε1=ε、ε2=σ/ωであることが明らかである。すな わち複素誘電率ε*は次式で表される。 (10)



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18 号 高誘電率を示す液晶材料を用いたコンデンサ Astamuse
D = ε E の関係にあるεをいう.電場によって物質にどのくらいの電気分極が誘導されるのかの目安になる量.真空の誘電率 ε0 に対するある物質の誘電率εを,その物質の比誘電率 εr という. εr = ε/ ε0 . コンデンサーの電極板の間に絶縁体を入れると電気容量が増えるが,比誘電率 εr の絶縁体を入れることによって,電気容量は真空の場合の εr 倍になる媒質の誘電率と真空の誘電率の比を比誘電率ε r と表せば、 ε=ε r ε 0 である。比誘電率は、真空で'1',空気で(1より大きいが)'ほぼ1'、無機固体で'2-10'、水で'80程度'、強誘電体で'数千程度'で、温度、圧力、成分等によって異なる。(理科年表などを参照★ポイント: ・半導体中の静的誘電率ε 0 は、s値(=ピニングの強さ1)とおおまかには逆比例の関係。 ・半導体中の動的誘電率ε ∞ も、s値とおおまかには逆比例の関係。 ・界面の静的誘電率は、これまでのところ真空の誘電率で近似されている。



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2章 誘電率とコンデンサ



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